宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究
	王勇刚; 马骁宇; 吕卉; 王丽明; 刘媛媛
	2004
Source Publication	半导体技术
Volume	29 Issue:7 Pages:74-75
Abstract	介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀.分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较.
metadata_83	中科院半导体研究所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1702485
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17339
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王勇刚,马骁宇,吕卉,等. 宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究[J]. 半导体技术,2004,29(7):74-75.
APA	王勇刚,马骁宇,吕卉,王丽明,&刘媛媛.(2004).宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究.半导体技术,29(7),74-75.
MLA	王勇刚,et al."宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究".半导体技术 29.7(2004):74-75.

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