宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究

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题名:	宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究
作者:	王勇刚; 马骁宇; 吕卉; 王丽明; 刘媛媛
发表日期:	2004
摘要:	介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀.分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较.
刊名:	半导体技术
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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王勇刚;马骁宇;吕卉;王丽明;刘媛媛.宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究,半导体技术,2004,29(7):74-75

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