SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜
刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
2004
Source Publication功能材料
Volume35Issue:4Pages:429-431
Abstract利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目,国家重大基础研究计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1705043
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17335
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜[J]. 功能材料,2004,35(4):429-431.
APA 刘力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜.功能材料,35(4),429-431.
MLA 刘力锋,et al."低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜".功能材料 35.4(2004):429-431.
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