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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of SiGe/Si Multi-Quantum Wells Resonant-Cavity-Enhanced Detector
作者: Li Chuanbo;  Mao Rongwei;  Zuo Yuhua;  Cheng Buwen;  Shi Wenhua;  Zhao Lei;  Luo Liping;  Yu Jinzhong;  Wang Qiming
发表日期: 2004
摘要: A SiGe/Si multi-quantum wells resonant-cavity-enhanced(RCE) detector with high reflectivity bottom mirror is fabricated by a new method.The bottom mirror is deposited in the hole,which is etched from the backside of the sample by ethylenediamine-pyrocatechol-water(EPW) solution with the buried SiO2 layer in SOI substrate as the etching-stop layer.Reflectivity spectrum indicates that the mirror deposited in the hole has a reflectivity as high as 99% in the range of 1.2~1.5μm.The peak responsivity of the RCE detector at 1.344μm is 1.2mA/W and the full width at half maximum is 12nm.Compared with the conventional p-i-n photodetector,the responsivity of RCE detector is enhanced 8 times.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li Chuanbo;Mao Rongwei;Zuo Yuhua;Cheng Buwen;Shi Wenhua;Zhao Lei;Luo Liping;Yu Jinzhong;Wang Qiming.Fabrication of SiGe/Si Multi-Quantum Wells Resonant-Cavity-Enhanced Detector,半导体学报,2004,25(12):1576-1579
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