SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
张春玲; 赵凤瑗; 徐波; 金鹏; 王占国
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:12Pages:1647-1651
Abstract在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1774480
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17319
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张春玲,赵凤瑗,徐波,等. 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点[J]. 半导体学报,2004,25(12):1647-1651.
APA 张春玲,赵凤瑗,徐波,金鹏,&王占国.(2004).利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点.半导体学报,25(12),1647-1651.
MLA 张春玲,et al."利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点".半导体学报 25.12(2004):1647-1651.
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