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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长
作者: 王晓峰;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  黄风义;  曾一平
发表日期: 2004
摘要: 利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Raman 光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王晓峰;王雷;赵万顺;孙国胜;黄风义;曾一平.厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长,半导体学报,2004,25(12):1652-1657
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