SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法
罗谦; 杨谟华; 杜江锋; 梅丁蕾; 王良臣; 白云霞
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:12Pages:1730-1734
Abstract提出了一种GaN薄膜电学参量测试新方法.该方法基于双肖特基结二极管结构,利用非对称的电极图形获取整流特性,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数.对残留载流子浓度为7×1016 cm-3 的非故意掺杂GaN薄膜进行了试验,新方法得到Ni/Au-GaN肖特基接触的理想因子为2.8,GaN薄膜方块电阻为491Ω和电子电导迁移率为606cm2/(V·s).这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通Ni/Au-GaN肖特基二极管测试所得结果较为吻合.该方法为半导体薄膜测试提供了新思路,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究.
metadata_83电子科技大学微电子学与固体电子学学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1774682
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17311
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗谦,杨谟华,杜江锋,等. 基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法[J]. 半导体学报,2004,25(12):1730-1734.
APA 罗谦,杨谟华,杜江锋,梅丁蕾,王良臣,&白云霞.(2004).基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法.半导体学报,25(12),1730-1734.
MLA 罗谦,et al."基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法".半导体学报 25.12(2004):1730-1734.
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