SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究
郜定山; 李建光; 安俊明; 李健; 夏君磊; 王红杰; 胡雄伟
2004
Source Publication半导体光电
Volume25Issue:6Pages:496-498
Abstract用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O2的SiO2光波导材料.用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响.结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2-SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶.在此GeO2-SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2-B2O3-SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1789718
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17309
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郜定山,李建光,安俊明,等. 火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究[J]. 半导体光电,2004,25(6):496-498.
APA 郜定山.,李建光.,安俊明.,李健.,夏君磊.,...&胡雄伟.(2004).火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究.半导体光电,25(6),496-498.
MLA 郜定山,et al."火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究".半导体光电 25.6(2004):496-498.
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