SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
影响半导体量子点生长因素的分析
杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 黄永箴
2004
Source Publication人工晶体学报
Volume33Issue:6Pages:1018-1021
Abstract生长高面密度和尺寸均匀的量子点是半导体量子点实用化的关键.本文在已有研究工作的基础上,从材料本身的特性和生长量子点时的外界条件两方面总结了影响量子点生长的各种因素,从原理上分析了控制量子点有序生长的可能性的几种方法.
metadata_83北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家863项目,国家973项目,中国科学院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1790786
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17305
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨红波,俞重远,刘玉敏,等. 影响半导体量子点生长因素的分析[J]. 人工晶体学报,2004,33(6):1018-1021.
APA 杨红波,俞重远,刘玉敏,&黄永箴.(2004).影响半导体量子点生长因素的分析.人工晶体学报,33(6),1018-1021.
MLA 杨红波,et al."影响半导体量子点生长因素的分析".人工晶体学报 33.6(2004):1018-1021.
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