室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质
	王春华; 陈涌海; 王占国
	2004
Source Publication	半导体学报
Volume	25 Issue:10 Pages:1253-1257
Abstract	通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质.通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比,发现350℃注Mn的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注Mn的样品主要含有MnAs颗粒.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1799492
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17289
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王春华,陈涌海,王占国. 室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质[J]. 半导体学报,2004,25(10):1253-1257.
APA	王春华,陈涌海,&王占国.(2004).室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质.半导体学报,25(10),1253-1257.
MLA	王春华,et al."室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质".半导体学报 25.10(2004):1253-1257.

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