SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质
王春华; 陈涌海; 王占国
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:10Pages:1253-1257
Abstract通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质.通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比,发现350℃注Mn的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注Mn的样品主要含有MnAs颗粒.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1799492
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17289
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王春华,陈涌海,王占国. 室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质[J]. 半导体学报,2004,25(10):1253-1257.
APA 王春华,陈涌海,&王占国.(2004).室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质.半导体学报,25(10),1253-1257.
MLA 王春华,et al."室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质".半导体学报 25.10(2004):1253-1257.
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