SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计
姚飞; 成步文
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:10Pages:1291-1295
Abstract从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家高技术研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1799670
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17287
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
姚飞,成步文. 1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计[J]. 半导体学报,2004,25(10):1291-1295.
APA 姚飞,&成步文.(2004).1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计.半导体学报,25(10),1291-1295.
MLA 姚飞,et al."1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计".半导体学报 25.10(2004):1291-1295.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4660.pdf(308KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[姚飞]'s Articles
[成步文]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[姚飞]'s Articles
[成步文]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[姚飞]'s Articles
[成步文]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.