SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元
刘文楷; 林世鸣; 安艳伟; 张存善
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:10Pages:1319-1323
Abstract半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模式的特性是变化的.
metadata_83北方工业大学信息工程学院;中国科学院半导体研究所;河北工业大学电气信息学院
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1799732
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17283
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘文楷,林世鸣,安艳伟,等. 三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元[J]. 半导体学报,2004,25(10):1319-1323.
APA 刘文楷,林世鸣,安艳伟,&张存善.(2004).三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元.半导体学报,25(10),1319-1323.
MLA 刘文楷,et al."三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元".半导体学报 25.10(2004):1319-1323.
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