SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析
刘敬伟; 王小龙; 陈少武; 余金中
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:10Pages:1324-1330
Abstract利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加.电极的尺寸对开关性能影响较小.如果采用全体硅材料制作光开关,开关速度能达到5μs,但功耗将增至0.92W.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电研发中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1799743
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17281
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
刘敬伟,王小龙,陈少武,等. SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析[J]. 半导体学报,2004,25(10):1324-1330.
APA 刘敬伟,王小龙,陈少武,&余金中.(2004).SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析.半导体学报,25(10),1324-1330.
MLA 刘敬伟,et al."SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析".半导体学报 25.10(2004):1324-1330.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4657.pdf(380KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[刘敬伟]'s Articles
[王小龙]'s Articles
[陈少武]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[刘敬伟]'s Articles
[王小龙]'s Articles
[陈少武]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[刘敬伟]'s Articles
[王小龙]'s Articles
[陈少武]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.