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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响
作者: 樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛;  严清峰;  王良臣
发表日期: 2004
摘要: 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
樊中朝;余金中;陈少武;杨笛;严清峰;王良臣.ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响,半导体学报,2004,25(11):1500-1504
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