SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度
陈媛媛; 夏金松; 樊中朝; 余金中
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:11Pages:1544-1548
Abstract提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1800103
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17275
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈媛媛,夏金松,樊中朝,等. 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度[J]. 半导体学报,2004,25(11):1544-1548.
APA 陈媛媛,夏金松,樊中朝,&余金中.(2004).热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度.半导体学报,25(11),1544-1548.
MLA 陈媛媛,et al."热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度".半导体学报 25.11(2004):1544-1548.
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