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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度
作者: 陈媛媛;  夏金松;  樊中朝;  余金中
发表日期: 2004
摘要: 提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈媛媛;夏金松;樊中朝;余金中.热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度,半导体学报,2004,25(11):1544-1548
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