SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响
倪海桥; 徐晓华; 张纬; 徐应强; 牛智川; 吴荣汉
2004
Source Publication物理学报
Volume53Issue:5Pages:1474-1482
Abstract用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量.
metadata_83中国科学院半导体研究所超晶格研究室
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划),中国博士后科学基金资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1808758
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17265
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
倪海桥,徐晓华,张纬,等. N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响[J]. 物理学报,2004,53(5):1474-1482.
APA 倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,&吴荣汉.(2004).N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响.物理学报,53(5),1474-1482.
MLA 倪海桥,et al."N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响".物理学报 53.5(2004):1474-1482.
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