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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响
作者: 倪海桥;  徐晓华;  张纬;  徐应强;  牛智川;  吴荣汉
发表日期: 2004
摘要: 用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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倪海桥;徐晓华;张纬;徐应强;牛智川;吴荣汉.N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响,物理学报,2004,53(5):1474-1482
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