In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

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题名:	In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响
作者:	张纪才; 王建峰; 王玉田; 杨辉
发表日期:	2004
摘要:	利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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张纪才;王建峰;王玉田;杨辉.In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响,物理学报,2004,53(8):2467-2471

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