SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响
张纪才; 王建峰; 王玉田; 杨辉
2004
Source Publication物理学报
Volume53Issue:8Pages:2467-2471
Abstract利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization香港研究资助局联合基金,国家自然科学基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1810674
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17263
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张纪才,王建峰,王玉田,等. In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响[J]. 物理学报,2004,53(8):2467-2471.
APA 张纪才,王建峰,王玉田,&杨辉.(2004).In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响.物理学报,53(8),2467-2471.
MLA 张纪才,et al."In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响".物理学报 53.8(2004):2467-2471.
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