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In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 | |
张纪才; 王建峰; 王玉田![]() | |
2004 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 53Issue:8Pages:2467-2471 |
Abstract | 利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 香港研究资助局联合基金,国家自然科学基金,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1810674 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17263 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张纪才,王建峰,王玉田,等. In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响[J]. 物理学报,2004,53(8):2467-2471. |
APA | 张纪才,王建峰,王玉田,&杨辉.(2004).In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响.物理学报,53(8),2467-2471. |
MLA | 张纪才,et al."In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响".物理学报 53.8(2004):2467-2471. |
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