SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
能级填充对量子阱光学性质的影响
朱莉; 郑厚植; 谭平恒; 周霞; 姬扬; 杨富华; 李桂荣; 曾宇昕
2004
Source Publication物理学报
Volume53Issue:12Pages:4334-4340
Abstract在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用.在极低偏压下,量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带-带跃迁无法解释的光致发光光谱行为.……
metadata_83四川大学物理科学与技术学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究专项基金,国家高技术研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1810918
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17261
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
朱莉,郑厚植,谭平恒,等. 能级填充对量子阱光学性质的影响[J]. 物理学报,2004,53(12):4334-4340.
APA 朱莉.,郑厚植.,谭平恒.,周霞.,姬扬.,...&曾宇昕.(2004).能级填充对量子阱光学性质的影响.物理学报,53(12),4334-4340.
MLA 朱莉,et al."能级填充对量子阱光学性质的影响".物理学报 53.12(2004):4334-4340.
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