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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼
作者: 曾湘波;  廖显伯;  王博;  刁宏伟;  戴松涛;  向贤碧;  常秀兰;  徐艳月;  胡志华;  郝会颖;  孔光临
发表日期: 2004
摘要: 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.……
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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曾湘波;廖显伯;王博;刁宏伟;戴松涛;向贤碧;常秀兰;徐艳月;胡志华;郝会颖;孔光临.等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼,物理学报,2004,53(12):4410-4413
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