SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体激光器温度控制研究
曾华林; 江鹏飞; 谢福增
2004
Source Publication激光与红外
Volume34Issue:5Pages:339-340
Abstract温度对半导体激光器的特性有很大的影响.为了使半导体激光器输出功率稳定,必须对其温度进行高精度的控制.利用PID控制网络设计了温控系统,控制精度达到±0.01℃,与无PID控制网络相比,极大的提高了系统的瞬态特性,并且试验发现采用带有温控系统的半导体激光器的输出功率稳定性比没有温控系统的输出功率得到显著改善。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1839163
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17255
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
曾华林,江鹏飞,谢福增. 半导体激光器温度控制研究[J]. 激光与红外,2004,34(5):339-340.
APA 曾华林,江鹏飞,&谢福增.(2004).半导体激光器温度控制研究.激光与红外,34(5),339-340.
MLA 曾华林,et al."半导体激光器温度控制研究".激光与红外 34.5(2004):339-340.
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