SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计
安俊明; 李健; 郜定山; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
2004
Source Publication光学技术
Volume30Issue:6Pages:676-678
Abstract给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则.在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点.用该方法设计了折射率差为0.75%和16×0.8nm的硅基二氧化硅AWG.采用广角有限差分束传播方法(FD-BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为-1.5dB、串扰为-48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划资助项目,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1844822
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17245
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
安俊明,李健,郜定山,等. 16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计[J]. 光学技术,2004,30(6):676-678.
APA 安俊明,李健,郜定山,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2004).16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计.光学技术,30(6),676-678.
MLA 安俊明,et al."16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计".光学技术 30.6(2004):676-678.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4635.pdf(186KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[安俊明]'s Articles
[李健]'s Articles
[郜定山]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[安俊明]'s Articles
[李健]'s Articles
[郜定山]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[安俊明]'s Articles
[李健]'s Articles
[郜定山]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.