高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator
作者: Wang Zhaotao;  Fan Zhongcao;  Chen Shaowu;  Yu Jinzhong
发表日期: 2004
摘要: The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.
刊名: Semiconductor Photonics and Technology
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4632.pdf200KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang Zhaotao;Fan Zhongcao;Chen Shaowu;Yu Jinzhong.Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator,Semiconductor Photonics and Technology,2004,10(2):78-81
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang Zhaotao]的文章
 [Fan Zhongcao]的文章
 [Chen Shaowu]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang Zhaotao]的文章
 [Fan Zhongcao]的文章
 [Chen Shaowu]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发