SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掩埋式弱限制MMI的性能模拟
夏君磊; 郜定山; 安俊明; 李健; 胡雄伟
2004
Source Publication光学技术
Volume30Issue:5Pages:522-524
Abstract采用精确模式分析方法(EMA)对一种掩埋式折射率差为0.47%的弱限制MMI进行了数值模拟,通过和强限制MMI对比表明,这种弱限制的MMI可以实现良好的均衡性(9.7×10-4dB)和附加损耗(0.13dB),比强限制MMI具有更大的带宽,更好的宽度和长度容差性.虽然这种弱限制MMI的最小附加损耗和最佳均衡性不能在同一长度同时获得,但由于其良好的容差性,在最佳均衡性长度处仍能获得低于0.8dB的附加损耗.用紫外写入波导的方法制作掩埋式结构的弱限制MMI器件是可行的.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1846432
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17235
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏君磊,郜定山,安俊明,等. 掩埋式弱限制MMI的性能模拟[J]. 光学技术,2004,30(5):522-524.
APA 夏君磊,郜定山,安俊明,李健,&胡雄伟.(2004).掩埋式弱限制MMI的性能模拟.光学技术,30(5),522-524.
MLA 夏君磊,et al."掩埋式弱限制MMI的性能模拟".光学技术 30.5(2004):522-524.
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