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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 掩埋式弱限制MMI的性能模拟
作者: 夏君磊;  郜定山;  安俊明;  李健;  胡雄伟
发表日期: 2004
摘要: 采用精确模式分析方法(EMA)对一种掩埋式折射率差为0.47%的弱限制MMI进行了数值模拟,通过和强限制MMI对比表明,这种弱限制的MMI可以实现良好的均衡性(9.7×10-4dB)和附加损耗(0.13dB),比强限制MMI具有更大的带宽,更好的宽度和长度容差性.虽然这种弱限制MMI的最小附加损耗和最佳均衡性不能在同一长度同时获得,但由于其良好的容差性,在最佳均衡性长度处仍能获得低于0.8dB的附加损耗.用紫外写入波导的方法制作掩埋式结构的弱限制MMI器件是可行的.
刊名: 光学技术
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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夏君磊;郜定山;安俊明;李健;胡雄伟.掩埋式弱限制MMI的性能模拟,光学技术,2004,30(5):522-524
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