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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum
作者: Wang Shurong;  Zhu Hongliang;  Liu Zhihong;  Zhang Ruiying;  Ding Ying;  Zhao Lingjuan;  Zhou Fan;  Bian Jing;  Wang Lufeng;  Wang Wei
发表日期: 2004
摘要: A kind of novel broad-band superluminescent diodes (SLDs) using graded tensile-strained bulk InGaAs is developed. The graded tensile-strained bulk InGaAs is obtained by changing only group-III trimethyl-gallium source flow during low-pressure metal organic vapor-phase epitaxy. At the injection current of 200 mA, the fabricated SLDs with such structure demonstrate full-width at half-maximum spectral width of 106 nm and the output light power of 13.6 mW, respectively.
刊名: Chinese Optics Letters
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang Shurong;Zhu Hongliang;Liu Zhihong;Zhang Ruiying;Ding Ying;Zhao Lingjuan;Zhou Fan;Bian Jing;Wang Lufeng;Wang Wei.Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum,Chinese Optics Letters,2004,2(6):359-361
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