SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究
刘志凯; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 宋书林; 李艳丽; 陈诺夫
2004
Source Publication真空科学与技术学报
Volume24Issue:2Pages:154-156
Abstract采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_2中O1s的束缚能之间,Si2p的XPS谱分裂为两个峰,其中一个是单质Si的,另一个介于单质Si和硅化物之间,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间,说明Gd_xSi_(1-x)形成了无定形结构.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家973资助项目,国家自然科学基金委员会资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1846953
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17231
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘志凯,周剑平,柴春林,等. 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究[J]. 真空科学与技术学报,2004,24(2):154-156.
APA 刘志凯.,周剑平.,柴春林.,杨少延.,宋书林.,...&陈诺夫.(2004).磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究.真空科学与技术学报,24(2),154-156.
MLA 刘志凯,et al."磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究".真空科学与技术学报 24.2(2004):154-156.
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