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| 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 | |
刘志凯; 周剑平; 柴春林; 杨少延 ; 宋书林; 李艳丽; 陈诺夫
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| 2004 | |
| Source Publication | 真空科学与技术学报
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| Volume | 24Issue:2Pages:154-156 |
| Abstract | 采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_2中O1s的束缚能之间,Si2p的XPS谱分裂为两个峰,其中一个是单质Si的,另一个介于单质Si和硅化物之间,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间,说明Gd_xSi_(1-x)形成了无定形结构. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家973资助项目,国家自然科学基金委员会资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1846953 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17231 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘志凯,周剑平,柴春林,等. 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究[J]. 真空科学与技术学报,2004,24(2):154-156. |
| APA | 刘志凯.,周剑平.,柴春林.,杨少延.,宋书林.,...&陈诺夫.(2004).磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究.真空科学与技术学报,24(2),154-156. |
| MLA | 刘志凯,et al."磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究".真空科学与技术学报 24.2(2004):154-156. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4625.pdf（104KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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