SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响
陈俊; 张书明; 张宝顺; 朱建军; 冯淦; 段俐宏; 王玉田; 杨辉; 郑文琛
2004
Source Publication中国科学. E辑, 技术科学
Volume34Issue:0Pages:1
Abstract利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.
metadata_83四川大学材料科学系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家杰出青年基金,NSFC-RGC联合基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1856918
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17227
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈俊,张书明,张宝顺,等. 缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响[J]. 中国科学. E辑, 技术科学,2004,34(0):1.
APA 陈俊.,张书明.,张宝顺.,朱建军.,冯淦.,...&郑文琛.(2004).缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响.中国科学. E辑, 技术科学,34(0),1.
MLA 陈俊,et al."缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响".中国科学. E辑, 技术科学 34.0(2004):1.
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