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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响
作者: 陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
发表日期: 2004
摘要: 利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.
刊名: 中国科学. E辑, 技术科学
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈俊;张书明;张宝顺;朱建军;冯淦;段俐宏;王玉田;杨辉;郑文琛.缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响,中国科学. E辑, 技术科学,2004,34(0):1
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