SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷
董志远; 赵有文; 曾一平; 段满龙; 李晋闽
2004
Source Publication中国科学. E辑, 技术科学
Volume34Issue:0Pages:5
Abstract用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24,0.42,0.54和0.64 eV4个缺陷,退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷,有的只有0.13 eV一个缺陷.根据这些结果,讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理.
metadata_83中国科学院半导体研究所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1857141
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17221
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
董志远,赵有文,曾一平,等. 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷[J]. 中国科学. E辑, 技术科学,2004,34(0):5.
APA 董志远,赵有文,曾一平,段满龙,&李晋闽.(2004).高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷.中国科学. E辑, 技术科学,34(0),5.
MLA 董志远,et al."高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷".中国科学. E辑, 技术科学 34.0(2004):5.
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