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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响
作者: 胡志华;  廖显伯;  刁宏伟;  孔光临;  曾湘波;  徐艳月
发表日期: 2004
摘要: 用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.
刊名: 中国科学. E辑,技术科学
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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胡志华;廖显伯;刁宏伟;孔光临;曾湘波;徐艳月.氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响,中国科学. E辑,技术科学,2004,34(0):5
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