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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟
作者: 李娜;  赵德刚;  杨辉
发表日期: 2004
摘要: 提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结,结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应,而后者没有;Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加.以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致,说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.
刊名: 中国科学. G辑, 物理
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李娜;赵德刚;杨辉.AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟,中国科学. G辑, 物理,2004,34(0):4
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