SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟
李娜; 赵德刚; 杨辉
2004
Source Publication中国科学. G辑, 物理
Volume34Issue:0Pages:4
Abstract提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结,结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应,而后者没有;Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加.以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致,说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1857164
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17217
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李娜,赵德刚,杨辉. AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟[J]. 中国科学. G辑, 物理,2004,34(0):4.
APA 李娜,赵德刚,&杨辉.(2004).AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟.中国科学. G辑, 物理,34(0),4.
MLA 李娜,et al."AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟".中国科学. G辑, 物理 34.0(2004):4.
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