SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究
艾斌; 沈辉; 班群; 梁宗存; 陈如龙; 施正荣; 廖显伯
2004
Source Publication中国科学. E辑, 技术科学
Volume34Issue:0Pages:11
Abstract为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素, 对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究. 结果表明, 颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度, 它不但增加了电池表面的漫反射, 也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松, 最终影响了减反射膜的陷光效果; 沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差, 较重的晶界复合限制了少子扩散长度, 使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏. 所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想, 电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响. 高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的, 低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的.
metadata_83中国科学院广州能源研究所;无锡尚德太阳能电力有限公司;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院"百人计划",国家"863"计划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1857250
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17215
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
艾斌,沈辉,班群,等. 外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究[J]. 中国科学. E辑, 技术科学,2004,34(0):11.
APA 艾斌.,沈辉.,班群.,梁宗存.,陈如龙.,...&廖显伯.(2004).外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究.中国科学. E辑, 技术科学,34(0),11.
MLA 艾斌,et al."外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究".中国科学. E辑, 技术科学 34.0(2004):11.
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