SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展
高兴国; 刘超; 李建平; 曾一平; 李晋闽
2005
Source Publication微电子学
Volume35Issue:1Pages:76-80
Abstract绝缘体上的锗硅技术(SiGeonInsulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(StrainedSilicononInsulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图(ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向.文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进展.
metadata_83中国科学院半导体研究所材料中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1866721
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17211
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
高兴国,刘超,李建平,等. 硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展[J]. 微电子学,2005,35(1):76-80.
APA 高兴国,刘超,李建平,曾一平,&李晋闽.(2005).硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展.微电子学,35(1),76-80.
MLA 高兴国,et al."硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展".微电子学 35.1(2005):76-80.
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