SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征
胡志华; 廖显伯
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:1Pages:34-37
Abstract报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序.这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系,所有公式均为解析表达式,便于进行数据处理,无须专用软件,使用Excel即可完成,适用于多种半导体薄膜材料.将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜,对其光学特性进行了分析.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1870490
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17205
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡志华,廖显伯. 非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征[J]. 半导体学报,2005,26(1):34-37.
APA 胡志华,&廖显伯.(2005).非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征.半导体学报,26(1),34-37.
MLA 胡志华,et al."非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征".半导体学报 26.1(2005):34-37.
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