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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制
作者: 邵刚;  刘新宇;  和致经;  刘健;  魏珂;  陈晓娟;  吴德馨;  王晓亮;  陈宏
发表日期: 2005
摘要: 报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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邵刚;刘新宇;和致经;刘健;魏珂;陈晓娟;吴德馨;王晓亮;陈宏.高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制,半导体学报,2005,26(1):88-91
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