SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究
刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 周剑平; 张富强
2005
Source Publication功能材料与器件学报
Volume11Issue:1Pages:15-18
Abstract采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1872632
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17197
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘力锋,陈诺夫,尹志岗,等. Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2005,11(1):15-18.
APA 刘力锋,陈诺夫,尹志岗,杨霏,周剑平,&张富强.(2005).Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究.功能材料与器件学报,11(1),15-18.
MLA 刘力锋,et al."Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究".功能材料与器件学报 11.1(2005):15-18.
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