SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI波导弯曲损耗改善方法的研究
陈媛媛; 余金中; 陈少武; 樊中朝
2005
Source Publication红外与毫米波学报
Volume24Issue:1Pages:53-55
Abstract采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家科技部"973"计划,"863"计划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1878616
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17187
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈媛媛,余金中,陈少武,等. SOI波导弯曲损耗改善方法的研究[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(1):53-55.
APA 陈媛媛,余金中,陈少武,&樊中朝.(2005).SOI波导弯曲损耗改善方法的研究.红外与毫米波学报,24(1),53-55.
MLA 陈媛媛,et al."SOI波导弯曲损耗改善方法的研究".红外与毫米波学报 24.1(2005):53-55.
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