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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: SOI波导弯曲损耗改善方法的研究
作者: 陈媛媛;  余金中;  陈少武;  樊中朝
发表日期: 2005
摘要: 采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时通过实验获得了验证.对R=16mm、横向位移为70μm的弯曲波导,通过刻槽方法将插入损耗降低了5dB,基本消除了弯曲所带来的附加损耗.
刊名: 红外与毫米波学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈媛媛;余金中;陈少武;樊中朝.SOI波导弯曲损耗改善方法的研究,红外与毫米波学报,2005,24(1):53-55
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