SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基光电集成器件研究进展
孙飞; 余金中
2005
Source Publication物理
Volume34Issue:1Pages:50-54
Abstract随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHz以上;而硅基光探测器对1300nm与1550nm波长的探测响应度也已分别达到了0.16mA/W和0.08mA/W.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述,并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,中国高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1907742
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17173
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
孙飞,余金中. 硅基光电集成器件研究进展[J]. 物理,2005,34(1):50-54.
APA 孙飞,&余金中.(2005).硅基光电集成器件研究进展.物理,34(1),50-54.
MLA 孙飞,et al."硅基光电集成器件研究进展".物理 34.1(2005):50-54.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4577.pdf(310KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[孙飞]'s Articles
[余金中]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[孙飞]'s Articles
[余金中]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[孙飞]'s Articles
[余金中]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.