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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 硅基光电集成器件研究进展
作者: 孙飞;  余金中
发表日期: 2005
摘要: 随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHz以上;而硅基光探测器对1300nm与1550nm波长的探测响应度也已分别达到了0.16mA/W和0.08mA/W.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述,并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析.
刊名: 物理
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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孙飞;余金中.硅基光电集成器件研究进展,物理,2005,34(1):50-54
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