SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于SOI材料的阵列波导光栅的制作
方青; 李芳; 刘育梁
2005
Source Publication红外与毫米波学报
Volume24Issue:2Pages:143-146
Abstract采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为0.7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能.
metadata_83中国科学院半导体研究所,光电子研发中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1911556
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17169
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
方青,李芳,刘育梁. 基于SOI材料的阵列波导光栅的制作[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(2):143-146.
APA 方青,李芳,&刘育梁.(2005).基于SOI材料的阵列波导光栅的制作.红外与毫米波学报,24(2),143-146.
MLA 方青,et al."基于SOI材料的阵列波导光栅的制作".红外与毫米波学报 24.2(2005):143-146.
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