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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制
作者: 张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  张敬明;  马骁宇
发表日期: 2005
摘要: 报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀,制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi),然后将试验片解理成Bar;为获得高的单面输出功率,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜,HR=90%,AR=5%;解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上,TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上,饱和电流3 A以上,峰值波长1430 nm,远场发散角为40°×14°。
刊名: 中国激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张洪波;韦欣;朱晓鹏;王国宏;张敬明;马骁宇.高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制,中国激光,2005,32(2):161-163
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