SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制
张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 张敬明; 马骁宇
2005
Source Publication中国激光
Volume32Issue:2Pages:161-163
Abstract报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀,制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi),然后将试验片解理成Bar;为获得高的单面输出功率,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜,HR=90%,AR=5%;解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上,TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上,饱和电流3 A以上,峰值波长1430 nm,远场发散角为40°×14°。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1914314
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17165
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张洪波,韦欣,朱晓鹏,等. 高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制[J]. 中国激光,2005,32(2):161-163.
APA 张洪波,韦欣,朱晓鹏,王国宏,张敬明,&马骁宇.(2005).高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制.中国激光,32(2),161-163.
MLA 张洪波,et al."高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制".中国激光 32.2(2005):161-163.
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