高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器
作者: 周震;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  彭红玲;  吴荣汉;  黄永清;  任晓敏
发表日期: 2005
摘要: 报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应.该器件在峰值响应波长1 296.5 nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11 nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15 A/μm~2,具有良好的暗电流特性.通过RC常数测量计算得到器件的3 dB带宽为4.82 GHz.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4570.pdf1070KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
周震;杨晓红;韩勤;杜云;彭红玲;吴荣汉;黄永清;任晓敏.GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器,光电子·激光,2005,16(2):159-163
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [周震]的文章
 [杨晓红]的文章
 [韩勤]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [周震]的文章
 [杨晓红]的文章
 [韩勤]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发