SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型
姜凡; 尹雪松; 刘忠立
2005
Source Publication微电子学
Volume35Issue:2Pages:138-141
Abstract文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果.
metadata_83中国科学院,半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1921929
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17151
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姜凡,尹雪松,刘忠立. 一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型[J]. 微电子学,2005,35(2):138-141.
APA 姜凡,尹雪松,&刘忠立.(2005).一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型.微电子学,35(2),138-141.
MLA 姜凡,et al."一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型".微电子学 35.2(2005):138-141.
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