SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN外延材料中持续光电导的光淬灭
李娜; 赵德刚; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 杨辉
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:2Pages:304-308
Abstract研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1922438
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17139
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李娜,赵德刚,刘宗顺,等. GaN外延材料中持续光电导的光淬灭[J]. 半导体学报,2005,26(2):304-308.
APA 李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,&杨辉.(2005).GaN外延材料中持续光电导的光淬灭.半导体学报,26(2),304-308.
MLA 李娜,et al."GaN外延材料中持续光电导的光淬灭".半导体学报 26.2(2005):304-308.
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