SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质
黄秀颀; 刘峰奇; 车晓玲; 刘俊岐; 雷文; 王占国
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:2Pages:309-313
Abstract在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构,而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响.对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动,以获得能量最优的分布状态.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1922448
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17137
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄秀颀,刘峰奇,车晓玲,等. InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质[J]. 半导体学报,2005,26(2):309-313.
APA 黄秀颀,刘峰奇,车晓玲,刘俊岐,雷文,&王占国.(2005).InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质.半导体学报,26(2),309-313.
MLA 黄秀颀,et al."InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质".半导体学报 26.2(2005):309-313.
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