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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长
作者: 江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  张广泽;  张洪波;  马骁宇;  李献杰
发表日期: 2005
摘要: 为了生长制作器件所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1.55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构.激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ=1.6μm,垒区λ=1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019cm-3.对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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江李;林涛;韦欣;王国宏;张广泽;张洪波;马骁宇;李献杰.InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长,半导体学报,2005,26(2):319-323
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