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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
作者: 李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
发表日期: 2005
摘要: 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
李宁;张国强;刘忠立;范楷;郑中山;林青;张正选;林成鲁.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应,半导体学报,2005,26(2):349-353
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