SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
李宁; 张国强; 刘忠立; 范楷; 郑中山; 林青; 张正选; 林成鲁
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:2Pages:349-353
Abstract采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1922522
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17133
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李宁,张国强,刘忠立,等. 部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]. 半导体学报,2005,26(2):349-353.
APA 李宁.,张国强.,刘忠立.,范楷.,郑中山.,...&林成鲁.(2005).部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应.半导体学报,26(2),349-353.
MLA 李宁,et al."部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应".半导体学报 26.2(2005):349-353.
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