SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性
孙彦; 方志丹; 龚政; 苗振华; 牛智川
2005
Source Publication人工晶体学报
Volume34Issue:2Pages:384-386
Abstract研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
metadata_83山西大同大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1926482
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17127
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙彦,方志丹,龚政,等. 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性[J]. 人工晶体学报,2005,34(2):384-386.
APA 孙彦,方志丹,龚政,苗振华,&牛智川.(2005).分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性.人工晶体学报,34(2),384-386.
MLA 孙彦,et al."分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性".人工晶体学报 34.2(2005):384-386.
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