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分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性 | |
孙彦; 方志丹; 龚政; 苗振华; 牛智川![]() | |
2005 | |
Source Publication | 人工晶体学报
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Volume | 34Issue:2Pages:384-386 |
Abstract | 研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差. |
metadata_83 | 山西大同大学物理系;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1926482 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17127 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙彦,方志丹,龚政,等. 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性[J]. 人工晶体学报,2005,34(2):384-386. |
APA | 孙彦,方志丹,龚政,苗振华,&牛智川.(2005).分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性.人工晶体学报,34(2),384-386. |
MLA | 孙彦,et al."分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性".人工晶体学报 34.2(2005):384-386. |
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