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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Annealing on Structural and Magnetic Properties of a Thick (Ga,Mn)As Layer
作者: Deng Jiajun;  Zhao Jianhua;  Jiang Chunping;  Zhang Yan;  Niu Zhichuan;  Yang Fuhua;  Wu Xiaoguang;  Zheng Houzhi
发表日期: 2005
摘要: We investigate effects of annealing on magnetic properties of a thick (Ga,Mn)As layer, and find a dramatic increase of the Curie temperature from 65 to 115 K by postgrowth annealing for a 500-nm (Ga,Mn)As layer. Auger electron spectroscopy measurements suggest that the increase of the Curie temperature is mainly due to diffusion of Mn interstitial to the free surface. The double-crystal x-ray diffraction patterns show that the lattice constant of (Ga,Mn)As decreases with increasing annealing temperature. As a result, the annealing induced reduction of the lattice constant is mainly attributed to removal of Mn interstitial.
刊名: Chinese Physics Letters
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Deng Jiajun;Zhao Jianhua;Jiang Chunping;Zhang Yan;Niu Zhichuan;Yang Fuhua;Wu Xiaoguang;Zheng Houzhi.Effect of Annealing on Structural and Magnetic Properties of a Thick (Ga,Mn)As Layer,Chinese Physics Letters,2005,22(2):466-468
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