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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池
作者: 胡志华;  廖显伯;  刁宏伟;  曾湘波;  徐艳月;  孔光临
发表日期: 2005
摘要: 该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).
刊名: 太阳能学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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胡志华;廖显伯;刁宏伟;曾湘波;徐艳月;孔光临.纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池,太阳能学报,2005,26(2):187-191
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