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| MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 | |
| 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 | |
| 2005 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 26Issue:3Pages:494-497 |
| Abstract | 用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1958045 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17115 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冉军学,王晓亮,胡国新,等. MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J]. 半导体学报,2005,26(3):494-497. |
| APA | 冉军学.,王晓亮.,胡国新.,王军喜.,李建平.,...&李晋闽.(2005).MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究.半导体学报,26(3),494-497. |
| MLA | 冉军学,et al."MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究".半导体学报 26.3(2005):494-497. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4546.pdf（268KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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