MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究

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题名:	MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究
作者:	冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
发表日期:	2005
摘要:	用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.
刊名:	半导体学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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冉军学;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽.MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究,半导体学报,2005,26(3):494-497

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