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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究
作者: 冉军学;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
发表日期: 2005
摘要: 用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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冉军学;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽.MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究,半导体学报,2005,26(3):494-497
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