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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: p型GaN的掺杂研究
作者: 金瑞琴;  朱建军;  赵德刚;  刘建平;  张纪才;  杨辉
发表日期: 2005
摘要: 采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型GaN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700~750℃范围为最佳退火温度.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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金瑞琴;朱建军;赵德刚;刘建平;张纪才;杨辉.p型GaN的掺杂研究,半导体学报,2005,26(3):508-512
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