宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

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题名:	宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
作者:	王书荣; 王圩; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
发表日期:	2005
摘要:	采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
刊名:	半导体学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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王书荣;王圩;刘志宏;朱洪亮;张瑞英;丁颖;赵玲娟;周帆;田慧良.宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器,半导体学报,2005,26(3):567-570

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