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| 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器 | |
王书荣; 王圩 ; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
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| 2005 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 26Issue:3Pages:567-570 |
| Abstract | 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所,光电子研发中心 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1958214 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17111 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王书荣,王圩,刘志宏,等. 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. 半导体学报,2005,26(3):567-570. |
| APA | 王书荣.,王圩.,刘志宏.,朱洪亮.,张瑞英.,...&田慧良.(2005).宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器.半导体学报,26(3),567-570. |
| MLA | 王书荣,et al."宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器".半导体学报 26.3(2005):567-570. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4544.pdf（513KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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