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GaAs/AlGaAs量子级联激光器 | |
刘俊岐![]() | |
2005 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 26Issue:3Pages:624-626 |
Abstract | 利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1958298 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17109 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘俊岐,路秀真,郭瑜,等. GaAs/AlGaAs量子级联激光器[J]. 半导体学报,2005,26(3):624-626. |
APA | 刘俊岐,路秀真,郭瑜,刘峰奇,&王占国.(2005).GaAs/AlGaAs量子级联激光器.半导体学报,26(3),624-626. |
MLA | 刘俊岐,et al."GaAs/AlGaAs量子级联激光器".半导体学报 26.3(2005):624-626. |
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